金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“具有背面触点拓宽的集成电路结构”的专利,公开号 CN 118782611 A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,描述了具有背面触点拓宽的集成电路结构。在示例中,一种集成电路结构包括多条水平堆叠设置的纳米线。栅极堆叠体位于所述多条水平堆叠设置的纳米线之上。外延源极或漏极结构位于所述多条水平堆叠设置的纳米线的末端。导电栅极触点垂直地位于栅极堆叠体的底部下面并与之接触。导电栅极触点位于隔离层中的空腔中,该空腔在平行于外延源极或漏极结构的方向上延伸超出栅极堆叠体,并且该空腔在朝向外延源极或漏极结构的方向上受限于该栅极堆叠体。
来源:金融界