前言

红魔作为努比亚旗下的潮酷电竞品牌，一直秉持着前卫极简、硬核美学的理念，其推出的氘锋系列充电器更是将这种理念发挥到了极致。后期型号中红魔氘锋系列充电器凭借氘锋透明设计语言，在极客玩家内具有极高的辨识度，成为了部分数码爱好者的首选。

红魔氘锋品牌口碑的塑造并非仅依赖于其外观设计，其实际日常性能表现同样优异。接下来，充电头网将带您深入探究红魔氘锋系列充电器的功率器件，剖析其用料选型。

红魔氘锋系列充电器内置功率器件

氘锋系列充电器内置的功率器件部分参数如上表所示，详细规格请查阅下文。

红魔35W氘锋能量块mini

红魔35W氘锋能量块mini不仅外观精美，而且在自研氮化镓方案加持下，体积缩小42%，效率高达96%，更高效率带来的是充电温度直降6℃的优秀表现。此外产品还支持AI温控+九重防护，充电更安全。

内置功率器件

AGMSEMI芯控源AGM1010

同步整流管来自AGMSEMI芯控源，型号AGM1010，耐压100V，采用DFN5*6封装。

Vergiga威兆VS3618BE

VBUS开关管来自威兆半导体，型号VS3618BE，NMOS，耐压30V，导阻为5.2mΩ，采用PDFN3333封装。

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氘锋1A1C 45W氮化镓快速充电器

努比亚这款1A1C 45W氘锋氮化镓快速充电器体积小重量轻，配备可折叠插脚携带方便。USB-C口支持QC2.0/3.0、AFC、FCP、SCP、MTK PE+2.0、PD3.0快充协议，具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V2.25A和3.3-11V/3A电压档位，最大输出45W；USB-A口支持Apple 2.4A，最大12W输出。30W+12W双口输出模式可满足平板和iPhone SE等两台设备同时充电。

内置功率器件

Innoscience英诺赛科INN650D02

初级侧氮化镓开关管来自英诺赛科，型号是INN650D02 ，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，这是整个产品的核心元器件。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。

Vergiga威兆VSP004N10MS

威兆次级同步整流MOS，VSP004N10MS，耐压100V，导阻典型值3.8mΩ，采用PDFN5*6封装。旁边是一颗并联的肖特基二极管，用于提升轻载效率。

Vergiga威兆VS3618AE

输出VBUS开关采用威兆VS3618AE，NMOS，耐压30V，导阻6mΩ，采用PDFN3333封装。

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红魔45W氘锋能量块mini

红魔45W氘锋能量块mini大小与35W款相当，外观则与65W款相同，额外设计有透明橱窗，小巧精致同时也十分硬核。产品支持FCP、SCP、AFC、QC3.0、PD3.0、PPS全主流快充协议，最大输出功率45W，满足包括轻薄笔记本在内的大多数电子设备日常快充需求。

内置功率器件

Vergiga威兆VS3618AE

VBUS开关管采用威兆半导体VS3618AE，这是一款耐压30V的NMOS，导阻6.4mΩ，采用PDFN3333封装。

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红魔65W氘锋能量块mini

红魔65W氘锋能量块mini延时了经典的氘锋银翼+透明元素，同时侧面以及顶部还加入了透明橱窗以及凯夫拉纹理设计，精致而硬核。在自研氮化镓方案加持下，充电器机身设计得非常小巧，搭配可折叠插脚，便携属性拉满。

内置功率器件

Si-Power硅动力SP240N70TT1

初级开关管采用硅动力SP240N70TT1，这是一款耐压700V的氮化镓功率开关管，导阻240mΩ，采用TO252-2L封装。

Si-Power硅动力SP05N10SRL

同步整流管采用硅动力SP05N10SRL，NMOS管，耐压100V，导阻5mΩ，采用PDFN5*6封装。

Vergiga威兆VS4620GEMC

4颗同步降压开关管也都是采用威兆VS4620GEMC，NMOS，耐压40V，导阻6.4mΩ，采用PDFN3333封装。

Tangchip芯唐微XTMT03N70L1

两个接口的VBUS开关管都是采用Tangchip芯唐微XTMT03N70L1，NMOS管，耐压30V，导阻4.8mΩ，采用PDFN3.3*3.3封装。

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努比亚65W 2C1A氘锋氮化镓充电器

努比亚这款65W充电器采用侧面透明的面板设计，能够看到充电器内部元件，带来不同的使用体验。充电器采用折叠插脚，便于携带，内部灌胶填充，提升散热性能和可靠性。两个USB-C接口支持盲插，支持PPS快充，能够满足笔记本电脑和手机的快充需求。

内置功率器件

Vergiga威兆VS3610AE

输出VBUS开关管来自威兆半导体，型号VS3610AE，是一颗耐压30V的NMOS，导阻为4mΩ，支持5V逻辑电压控制，采用PDFN3333封装。

丝印R03N041AP MOS管

五颗R03N041AP MOS管。

丝印CWT3125AP MOS管

输出VBUS开关管丝印CWT3125AP，双NMOS管。

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努比亚65W 3C1A氘锋能量块

这款充电器采用努比亚第三代氮化镓黑科技打造，即便是配备3C1A四个USB接口的情况下，整体仍做得十分小巧，功率密度高达0.83W/cm³，比一些单口65W氮化镓快充还要高，加上配备可折叠插脚，让其兼具小巧及多口快充。

内置功率器件

Navitas纳微NV6115

与控制器搭配的氮化镓功率开关管是纳微的NV6115，其内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导通电阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用5*6mm QFN封装，节省面积，得益于NV6115内置驱动器，无需外置驱动器，更加节省PCB空间。

CRMICRO华润微SM080N10L2

同步整流控制器控制同步整流管进行整流得到所需的低压直流电，同步整流管采用华润微SM080N10L2，NMOS，耐压100V，DFN5x6封装。

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努比亚65W氘锋三口氮化镓快速充电器

努比亚新一代65W 2C1A氮化镓充电器在接口输出性能上做了全面提升，产品整体支持多个主流快充协议，电压档位齐全。两个C口均具备PPS电压档位，支持65W快充，满足功率盲插，使用起来更方便，USB-A口支持30W快充。此外充电器支持45W+18W双口快充，满足笔记本和手机同时充电需求。

内置功率器件

Navitas纳微NV6115

初级侧氮化镓功率芯片采用纳微NV6115，这是充电器的核心元器件。NV6115内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用5*6mm QFN封装，节省面积，得益于NV6115内置驱动器，无需外置驱动器，更加节省PCB空间。

Vergiga威兆VSP008N10MSC

次级同步整流MOS采用威兆半导体VSP008N10MSC，NMOS，耐压100V，导阻6mΩ，PDFN5X6封装。

Vergiga威兆VS4610AE

四款MOS来自威兆半导体，型号为VS4610AE，NMOS，耐压40V，导阻6.8mΩ，用于为USB-C1口输出同步整流降压。

Vergiga威兆VS3622DE

USB-C2和USB-A接口输出VBUS开关管采用威兆VS3622DE，双NMOS，耐压30V，导阻10 mΩ，采用PDFN3333封装。

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氘锋120W 3C1A氮化镓充电器（变形金刚战损版）

努比亚在2C1A三口氘锋氮化镓快充基础上，更新推出了3C1A的氮化镓快充充电器，其中USB-C1与C2支持100W功率盲插，USB-C3和USB-A口支持30W快充。同时产品支持QC、AFC、FCP、SCP、PE2.0、PD3.0、PPS等多个市面主流快充协议，具备5A PPS电压档位，整体的兼容性很好，满足各大品牌笔电、平板和手机快充需求。

内置功率器件

Innoscience英诺赛科INN650D260A

PFC升压开关管采用英诺赛科INN650D260A氮化镓功率器件，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻260mΩ，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。

Innoscience英诺赛科INN650D150A

与控制器搭配的氮化镓功率开关管是英诺赛科INN650D150A，这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ，采用DFN8*8封装。

PANJIT强茂MURC5J

PFC升压整流管来自PANJIT强茂，型号MURC5J，是一颗5A，耐压600V的超快恢复二极管。

丝印GN5M二极管

PFC旁路二极管，用于在接入电源时为滤波电容充电，保护PFC电路。

AOS万国MP6908A

同步整流管使用两颗MOS并联。同步整流管来自AOS万代，型号为AONS62922，耐压120V，导阻5.8mΩ，采用DFN5*6封装。

NCE新洁能NCEP40T11G

两颗同步降压开关管采用新洁能NCEP40T11G，NMOS，耐压40V，导阻2.4mΩ，采用DFN5*6封装，两颗组成半桥。

AGMSEMI芯控源AGM303AP

一颗芯控源AGM303AP，耐压30V，导阻2.8mΩ，封装PDFN3.3*3.3。

AGMSEMI芯控源AGM405AP1

二颗芯控源AGM405AP1，NMOS，耐压40V，导阻5.7mΩ，使用PRPAK3.3*3.3封装。

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氘锋140W 3C1A氮化镓充电器

氘锋140W四口氮化镓快速充电器延续家族系列外观设计，顶部透明外壳可见内部器件，相当硬核。新品配置3C1A四个USB接口，分别支持140W、100W、30W以及27W输出，并支持65W+30W+20W、65W+20W+12W+12W等输出策略，满足苹果MacBook、iPad、iPhone、Apple Watch、AirPods设备的同时快充需求，是目前氘锋系列性能最强的新品，值得考虑。

内置功率器件

Innoscience英诺赛科INN650D150A

PFC升压开关管来自英诺赛科，型号为INN650D150A，是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ，采用DFN8*8封装。INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

PANJIT强茂MURC5J

PFC升压整流管来自PANJIT强茂，型号MURC5J，是一颗5A，耐压600V的超快恢复二极管。

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丝印GN6M二极管

丝印GN6M的PFC旁路二极管，用于在接入电源时为滤波电容充电。

AGMSEMi芯控源AGM405AP1

同步降压开关管以及一颗VBUS开关管来自AGMSEMi芯控源，型号AGM405AP1，是一颗耐压40V的NMOS，导阻5.7mΩ，采用DFN3.3*3.3封装。

Ruichips锐骏RU3040

另外两颗输出VBUS开关管都是采用锐骏RU3040，NMOS，耐压30V。

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氘锋150W全能充GaN充电器PA0228

氘锋150W全能充GaN充电器采用透明的外壳设计，能够观察到充电器内部器件，同时配有RGB LED彩灯和彩色液晶屏幕，整体来说非常酷炫，并且还能实时了解充电器的供电状态。这款充电器具备2C1A以及一个DC接口，USB-C接口支持PD3.1 140W快充，DC接口具备150W输出功率，满足笔记本电脑和手机供电需求。

内置功率器件

Innoscience英诺赛科INN650D260A

PFC升压开关管采用英诺赛科INN650D260A，额定耐压为650V，导阻260mΩ，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极，最高工作温度150℃，采用DFN8*8封装。

Innoscience英诺赛科INN650DA260A

两颗LLC开关管来自英诺赛科，型号为INN650DA260A，这是一颗高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构，采用DFN5*6封装。

PY平伟MUR860G

PFC整流管来自PY平伟，型号MUR860G，规格为600V 8A，采用TO252封装。

CRMICRO华润微CRSM062N10N

同步整流管来自华润微，型号CRSM062N10N，NMOS，耐压100V，导阻为5.7mΩ，采用DFN5*6封装。

Huayi华羿微HYG017N04

六颗MOS管来自华羿微，型号HYG017N04，NMOS，耐压40V，导阻1.6mΩ，采用PDFN5*6-8L封装。

Vergiga威兆VSE014P04MS

三颗输出VBUS开关管来自威兆半导体，型号VSE014P04MS，是一颗耐压40V的PMOS，导阻为9.5mΩ，采用PDFN3333封装。共使用三颗对应三路输出。

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充电头网总结

通过上述这些功率器件，红魔氘锋系列充电器实现了高功率密度、高效率和高功率输出等诸多亮点，正因如此，它在极客玩家里备受追捧。同时，这些技术优势也让它成为许多用户在选择高性能便携充电器时的不二之选。希望本篇文章能够为您提供一定参考价值，帮助您深入了解这些功率器件的各自优势，从而帮你在选型时做出更优质的决策。