芯卓湖光申请半导体器件制作方法专利，提升器件可靠性_科技资讯

芯卓湖光申请半导体器件制作方法专利，提升器件可靠性

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2026-09-01 01:31:42

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国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的制作方法及半导体器件”的专利，公开号CN122662217A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：在基底上形成依次设置的第一极板、第一介质层、第二极板和第二介质层，第二介质层和第二极板均位于有效区，第一介质层和第一极板均位于有效区和连接区；第一介质层与第二介质层的厚度相同，且刻蚀选择比相同；形成覆盖第二介质层、第一介质层和基底的钝化层；有效区的钝化层的厚度与连接区的钝化层的厚度相同；形成第一接触结构和第二接触结构。本申请能够提高工艺稳定性，且提升器件可靠性。

天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可49个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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