大家都知道，不管是intel，还是三星，其实在7nm工艺的时候，就用上了EUV光刻机。

台积电虽然在第一代7nm的时候，用的是浸润式DUV光刻机，但第二代7nm的时候，也换上了EUV光刻机，并将第二代7nm工艺，标注为7nm EUV，用于区别。

至于7nm之后的工艺，比如变种的6nm，标准的5nm以及更高级的4nm、3nm等就不用说了，全部采用的是EUV光刻机来制造。

为什么会这样，其实原因非常简单，那就是如果有了EUV光刻机，谁会愿意用DUV来造5nm这样的先进芯片呢，不是没苦硬吃么？

浸润式DUV光刻机，不管有多么先进，采用的都是193nm的光源，经过水的折射后，波长变成134nm，其主流的1.35NA 浸润式机型单曝光极限是38nm。

理论上来讲，采用双重曝光，可以稳定量产22nm、16nm，如果是四重曝光（SAQP），可以到 7nm，甚至是5nm。

但是所谓的四重曝光，大家知道是什么意思么？

我们可以拿写字来说，比如要写一个“王”字，如果有EUV光刻机，那么在白纸上直接一次写出“王”字，一次就可以了，时间要的短，成功率也高。

但如果没有EUV光刻机，相当于笔太粗没法一次性写下去，所以我们要分四次来写才行，第一字写一个“一”，然后第二次调整纸张，再写一个“一”，再写“|”，最后再写“一”。

四次写，是不是需要的时间，是一次写的4倍？

另外，四次写，要保证这个“王”字写的正确，是难度更高了？如果白纸移动的不太对，就会出错，这个就是良率，写的越多次，出错的就越大，良率就越低。

所以多次曝光的成本，远比一次就成功的成本大多了，因为多次曝光需要的时间更久，各种材料肯定也更多，良率更低了。

所以像三星、台积电、intel们，在有EUV光刻机的情况下，没有谁会傻傻的用浸润式DUV来制造7nm及以下的芯片。

只有我们，买不到EUV光刻机，所以只能用浸润式DUV来造7nm，5nm芯片，但大家不要觉得，我们就不需要EUV光刻机了，我们技术更强，所以只要有浸润式DUV就够了，增白讲如果有EUV，谁愿意用DUV么？没苦硬吃的事，没谁愿意干的。

接下来，希望国产光刻机崛起，早点突破EUV，否则这样吃苦的日子，确实是很难熬的。