不换设计直接降温：SK 海力士发布控温散热存储技术“iHBM”，降低热阻超 30%
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2026-05-26 12:38:29
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5 月 26 日消息，随着人工智能算力需求的持续攀升，高带宽内存（HBM）正加速向更多堆叠层数与更高运行速度迭代，但随之而来的发热问题也成为制约产品稳定性的关键瓶颈。
SK 海力士于 5 月 26 日宣布推出名为“iHBM”的控温散热存储技术，通过在高带宽内存封装内直接集成一体化冷却元件，从结构层面解决散热难题。
IT之家从官方获悉，iHBM 技术的核心在于 SK 海力士新开发的冷却元件“ICE”—— 一种利用绝缘、高导热性硅基材料打造的元件。
传统 HBM 产品主要依赖热量经由核心芯片向外传导的间接散热方式，而 iHBM 则直接在发热最为集中的 D2D PHY 区域中嵌入 ICE，为该区域构建专用的热量排出通道。相较于传统方案，iHBM 的热阻降低了 30% 以上，在高温、高负载等严苛环境中，产品运行的稳定性得到了有效保障。
在量产可行性方面，该项技术采用了此前已在市场中广泛验证的先进 MR-MUF 晶圆级封装工艺，能够实现规模化稳定量产。
此外，iHBM 技术与客户现有的系统级封装环境也具备较高的设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署，从而有效降低了实际导入的技术门槛。
SK 海力士计划将 iHBM 技术应用于 HBM5 等下一代产品中，以满足高性能计算及 AI 数据中心等超高集成度、高带宽应用场景的散热管理需求。
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