芯联微电子申请刻蚀终点监测方法专利，更容易控制刻蚀终点
创始人
2025-07-13 11:41:54
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“刻蚀终点监测方法”的专利，公开号CN120300015A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了一种刻蚀终点监测方法，包括以下步骤：提供半导体膜层，并在半导体膜层上依次形成刻蚀停止层和待刻蚀层，刻蚀停止层的材料包括光致发光有机分子材料；对待刻蚀层进行刻蚀，且实时监测刻蚀腔内的发光信号的强度的变化，获得发光强度变化曲线，并根据发光强度变化曲线来确定刻蚀终点。本发明在待刻蚀层下方设置了由光致发光有机分子材料形成的刻蚀停止层，该层能够在特定波长的光源的激发下直接发出大量光子，使得发光强度变化显著，从而更容易控制刻蚀终点，避免刻蚀不完全或者过刻蚀。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目716次，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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