日前媒体报道指三星已正式与中国存储芯片企业长江存储达成专利授权合作，将采用后者的先进封装技术“混合键合”，这是三星首次采用中国存储芯片的技术，三星作为全球最大的存储芯片企业却需要获取中国芯片的专利，无疑证明了中国芯片技术的先进性。

据悉中国芯片的“混合键合”可以提升存储芯片的性能、降低功耗，在当下存储芯片堆叠层数不断增加--NAND FLASH存储芯片已超过300层，该项技术具有非常重要的意义。

三星为全球最大的存储芯片企业，占有存储芯片市场近四成市场份额；韩国除了三星之外，还有SK海力士，两家企业合计占有存储芯片市场近七成的市场份额，可以说他们在存储芯片行业具有垄断性的市场地位。

三星发展存储芯片最早在1980年代，发展数十年来，它已积累了大量专利，据悉它拥有的存储芯片专利高达1.2万项，在全球存储芯片行业建立了技术壁垒。

三星除了在技术和市场方面有优势之外，它还善于采用逆周期扩张技术，即是在存储芯片的低谷期大举采购芯片设备、扩张产能，在存储价格上涨周期收获丰厚利润，它能如此做，在于它当时已在电视行业等取得全球第一名，这些盈利的业务持续支持存储芯片的扩张。

在1990年之前，日本才是全球最大的存储芯片生产国，但是日本的存储芯片企业没有得到足够的支持，在每次存储芯片低谷期出现巨额亏损而不得不收缩，经过数次周期更替，1990年代日本的尔必达倒闭后，日本的存储芯片失去竞争优势，韩国成为全球最大的存储芯片生产国。

中国的存储芯片企业则成立在2016年，作为后来者，中国的存储芯片企业当时就已非常注重专利的积累，为此长江存储等芯片企业选择了从最古老的32层NAND flash做起，以打造自己的专利基础。

此后长江存储又研发了64层NAND FLASH，但是依然没有投入大规模生产；直到数年后研发成功128层NAND flash--这已是当时的主流技术，才投入大规模生产，有了自己的基础专利，让中国存储芯片企业的发展更为扎实。

2022年中国存储芯片企业量产了当时全球最先进的232层NAND flash，由此取得了领先的技术优势；这也让海外存储芯片企业恐惧，美国拉拢日本和荷兰的芯片设备企业，限制对中国存储芯片企业供应先进的芯片设备，甚至连已在生产线的光刻机也停止维护，这才帮助三星、美光等美日韩存储芯片重夺技术优势，2023年他们量产300层NAND flash。

中国存储芯片企业并未就此止步，那几年中国的存储芯片技术积极推进以国产的芯片设备和材料替代进口芯片设备，2024年底，中国存储芯片企业也量产300层NAND flash，再次追上海外存储芯片企业。

到如今三星不得不获取中国存储芯片的专利，无疑进一步证明了中国存储芯片已发展出自己的独特专利，而且是无法绕开的核心专利，这是海外芯片企业首次主动求取中国芯片企业的专利，绝对是中国芯片的重大突破。

中国存储芯片的成功，说明中国拥有巨量的科技人才，只要中国各个行业坚持创新，中国是有可能发展出自己的先进科技，打破海外科技企业在专利方面的垄断的，拥有了自己的独特专利，将真正具有足够的核心技术优势，而无需再受制于人。