上海华力申请半浮栅器件的制造方法专利，改善器件性能
创始人
2025-02-13 15:01:35
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金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半浮栅器件的制造方法”的专利，公开号 CN 119400694 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半浮栅器件的制造方法，包括：步骤一、在底层结构上沉积半浮栅多晶硅层，半浮栅多晶硅层的顶部表面不平坦。步骤二、对半浮栅多晶硅层表面进行氢气处理，利用氢气处理增加硅原子移动能力并从而提高半浮栅多晶硅层的顶部表面的平整度步骤三对半浮栅多晶硅层进行离子注入并进行退火激活。步骤四、对半浮栅多晶硅层进行无掩膜刻蚀使半浮栅多晶硅层的厚度降低到设定值。本发明能提高半浮栅多晶硅的表面平整度并从而改善器件的性能。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2205条，此外企业还拥有行政许可343个。
来源：金融界
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