上海华虹宏力申请分栅式存储器形成方法专利，提高存储器性能_科技资讯

上海华虹宏力申请分栅式存储器形成方法专利，提高存储器性能

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2025-02-01 04:21:16

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金融界 2025 年 1 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种分栅式存储器的形成方法”的专利，公开号 CN 119383967 A，申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示，本发明提高了一种分

栅式存储器的形成方法，包括：在

衬底上形成浮栅层、栅极介质层、

控制栅层以及具有第一开口掩膜

层；在第一开口内形成第一侧墙和

第二开口，第二开口露出部分控制

栅层的表面；通过第二开口向部分

厚度的控制栅层内注入离子；使用

灰化机台和能刻蚀硅材料的气体

对控制栅层进行刻蚀，以去除部分

厚度的控制栅层，并刻蚀部分第一

侧墙下方的控制栅层，使得剩余的

控制栅层形成斜坡形状的凹槽并

且第一侧墙和控制栅层的交界处形成缺口；去除第二开口露出

的控制栅层和部分厚度栅极介质层；形成第二侧墙，第二侧墙

填充缺口；去除第二侧墙未覆盖的剩余的栅极介质层和浮栅

层；形成第三侧墙，并且形成源线开口；在源线开口内形成源

线。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可428个。

来源：金融界

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