浙江创芯申请半导体结构形成方法专利，保证浅沟槽隔离结构完整性
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2024-12-13 12:01:53
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金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN 119108337 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示， 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成牺牲层，牺牲层的厚度范围为500埃至5000埃；在牺牲层上形成具有浅沟槽隔离结构图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，依次刻蚀牺牲层以及衬底，在牺牲层内以及衬底内形成浅沟槽；向浅沟槽内填充满绝缘物质；刻蚀去除牺牲层、以及部分绝缘物质至暴露出衬底表面，形成浅沟槽隔离结构。通过在衬底上形成牺牲层，并对牺牲层和衬底进行刻蚀形成浅沟槽，实现浅沟槽的高度的增加，使得空洞形成于浅沟槽顶部，后续通过刻蚀去除掉浅沟槽顶部的具有空洞的浅沟槽隔离结构，保证浅沟槽隔离结构的完整性，进而提高半导体器件良率、可靠性以及性能。
来源：金融界
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