长飞先进申请半导体器件专利，提高半导体器件开关速度和可靠性
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2024-12-11 11:01:54
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金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN 119092549 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体包括第一外延层和第二外延层，第一外延层用于支撑第二外延层；第二外延层的导电类型和第一外延层的导电类型相反；半导体本体包括碳化硅材料；或者，半导体本体包括氮化镓材料；第二外延层包括阱区和第一区域，阱区和第二外延层的导电类型和掺杂浓度相同；栅极结构，栅极结构包括栅介质层、栅极和层间介质层；栅介质层的介电常数大于氧化硅的介电常数，栅介质层的介电电容为负值，栅介质层具有自发极化特性。本发明实施例提供的技术方案提高了半导体器件的开关速度和器件可靠性。

来源：金融界

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