据株洲日报官微消息，7月17日，湖南省高校科技成果转化工作推进大会暨“双高”对接活动在株洲举行。会上举行了全省“双高”对接项目签约仪式，清华大学谢志鹏教授团队与湖南维尚科技有限公司签订“功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制”项目合作协议。此次双方项目合作将开展功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制与先进科技成果转化。

据悉，氮化硅陶瓷的理论热导率可达到200W/|（m·K）以上，而其热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相差无几，氮化硅陶瓷基板被认为是大规模或超大规模集成电路封装基板材料的优先选择。

而烧结工艺是氮化硅陶瓷基板生产的关键技术之一，氮化硅基板烧结受到温度、气氛、气压、温度及气氛均匀性等的综合影响，过程极其复杂，极易出现外观均匀性、尺寸均匀性变差、成品率降低等问题，需要系统开展烧结工艺研究，针对国产原料及相应配方制定与之匹配的烧结工艺，烧结设备。

目前，氮化硅材料广泛应用于新能源汽车、半导体、光伏、医疗器材、太阳能电池、手机底板、航空航天等领域，是这些领域的关键材料，也是第三代半导体碳化硅芯片最匹配的封装材料。今年以来，氮化硅材料热度持续上涨，已有多个项目签约落地。

3月27日，浙江省嘉兴国家高新区（高照街道）一季度重大项目集中签约仪式举行。其中，总投资约52亿元的瓷新半导体材料总部项目计划建设年产3000万片的氮化硅基板及3000万片氮化硅覆铜板，项目投产后将有效填补国内高端氮化硅陶瓷材料产业空白，助推汽车功率半导体产业发展。

而在5月31日，总投资10亿元的氮化硅材料项目签约落地浙江嘉兴桐乡。该项目主要生产氮化硅高纯粉体及其制品，其中一期项目计划投资5亿元。

来源：株洲日报，集邦化合物半导体整理