长飞先进半导体申请半导体器件专利，改善槽底栅氧电场集中问题_科技资讯

长飞先进半导体申请半导体器件专利，改善槽底栅氧电场集中问题

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2026-09-04 18:00:43

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆”的专利，公开号CN122699346A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：包括依次远离第一表面的第一区域、阱区和第二区域；第一区域设置为第一导电类型，阱区和第二区域设置为第二导电类型；第一表面设置有沟槽；半导体本体还包括第一导电类型的第三区域和第四区域；第三区域位于沟槽的槽角处；第四区域位于沟槽靠近第二表面的一侧，并与第三区域接触，至少部分的第四区域从沟槽的底面向第二表面延伸以贯穿第二区域，第二区域的离子掺杂浓度大于阱区的离子掺杂浓度；栅极，位于沟槽中；源极，位于第一表面；漏极，位于第二表面。本申请提供的技术方案，改善了槽底栅氧电场集中问题，且更好地优化击穿电压与导通电阻之间的权衡关系。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目44次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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