鹏芯微取得半导体结构及半导体器件专利，实现栅极切断_科技资讯

鹏芯微取得半导体结构及半导体器件专利，实现栅极切断

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2026-09-02 00:32:28

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司取得一项名为“半导体结构及半导体器件”的专利，授权公告号CN224710097U，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及半导体器件，半导体结构包括：衬底，衬底具有相对设置的第一面和第二面；多个晶体管结构，阵列排布于衬底的第一面；晶体管结构包括：栅极结构以及位于栅极结构在第一方向上相对两侧的源漏结构；其中，在第二方向上相邻的源漏结构之间具有隔离层；源漏结构的至少部分表面覆盖有金属硅化物层；第一方向和第二方向相交且均平行于第一面；导电结构，位于所述第二方向上的相邻源漏结构之间用于实现栅极切断的隔离结构内，且贯穿衬底并显露于衬底的第二面；接触结构，接触结构覆盖金属硅化物层的至少部分表面；至少部分接触结构位于金属硅化物和导电结构之间，并与导电结构和源漏结构电连接。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息200条，此外企业还拥有行政许可225个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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