英飞凌发布抗辐射栅极驱动芯片，助力GaN“上天”
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2026-07-24 08:41:50
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英飞凌近日宣布推出RIC70115抗辐射栅极驱动芯片。该产品专为氮化镓功率半导体控制设计，同时兼容硅基器件，主要面向卫星及其他高可靠性航天应用场景。
太空中的辐射环境对半导体器件构成双重威胁：累积性辐射损伤会逐步劣化器件性能，而高能粒子引发的单粒子效应则可能导致电路瞬间误动作。RIC70115在总电离剂量方面可耐受最高100krad(Si)，在线性能量传输指标方面通过最高81.9MeV·cm²/mg的高能粒子冲击验证。英飞凌表示，这一防护等级不仅覆盖近地轨道卫星任务，亦可满足更严苛的深空探测需求。
在功能集成方面，RIC70115内置米勒钳位功能，可有效防止电压瞬变引发的功率管误导通；搭载降噪电路以抑制电磁与射频干扰；同时集成的低压差线性稳压器可由5V或12V输入生成4.8V驱动电压，有助于减少外围元件数量。该芯片支持-55℃至+125℃工作温度范围，符合MIL-PRF-38535军工航天标准。
英飞凌高可靠性事业部高级副总裁迈克·米尔斯表示，该产品旨在支持航天电力系统向氮化镓架构的过渡。目前RIC70115芯片及其配套评估板RIC70115EVAL1已正式上市销售。
（文/集邦化合物半导体整理）
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