博康申请氮化铝稀土掺杂薄膜层专利,最大化激发稀土元素功能潜力
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2026-06-15 18:37:29
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国家知识产权局信息显示,博康(嘉兴)半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝稀土掺杂薄膜层、氮化铝薄膜、制备方法及其应用”的专利,公开号CN122206171A,申请日期为2026年2月。

专利摘要显示,本申请提供的氮化铝稀土掺杂薄膜层及制备方法,属于光学薄膜技术领域,所述氮化铝稀土掺杂薄膜层包括掺杂稀土元素的氮化铝,所述掺杂稀土元素浓度呈梯度变化,通过梯度掺杂和三层层状结构,成功地解决了高浓度稀土掺杂AlN薄膜的三大核心挑战:高应力、差结晶质量和界面问题。它不仅保证了薄膜的可制备性和可靠性,还通过优化晶体结构和电荷环境,最大化地激发了稀土元素的功能潜力(无论是压电性还是磁性),为制备下一代高性能声学、光电子和自旋电子器件提供了关键的材料基础。此外,本申请还提供了氮化铝薄膜、制备方法及应用。

天眼查资料显示,博康(嘉兴)半导体科技有限公司,成立于2022年,位于嘉兴市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析,博康(嘉兴)半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目17次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息9条,此外企业还拥有行政许可8个。

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来源:市场资讯

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