芯联集成申请半导体器件和版图优化方法专利，能够增加有源区密度_科技资讯

芯联集成申请半导体器件和版图优化方法专利，能够增加有源区密度

创始人

2026-02-17 02:21:14

0次

国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件和版图优化方法”的专利，公开号CN121531785A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，一种半导体器件和版图优化方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区上方形成有栅极结构；形成于所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于定义所述有源区；形成在所述浅沟槽隔离结构中的第一伪有源区，所述第一伪有源区在俯视角度下为条形或环形结构；形成在所述第一伪有源区外侧的第二伪有源区，所述第一伪有源区的宽度小于所述第二伪有源区的宽度。该半导体器件能够增加有源区密度，避免栅极击穿。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1737次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息795条，此外企业还拥有行政许可43个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

上一篇：玩家必看攻略！小程序微乐辅助器免费版，雀友圈斗地主辅助器，软件教程（竟然有挂）

下一篇：教程辅助！新玄龙斗牛卡牌，金虎爷辅助，安装教程（有挂技巧）

芯联集成申请半导体器件和版图优化方法专利，能够增加有源区密度

相关内容

热门资讯