近日，英特尔宣布与日本软银全资子公司SAIMEMORY签署了合作协议，双方将共同开发名为ZAM（Z-Angle Memory）的新型存储器技术。此次合作聚焦于下一代存储器技术，旨在满足人工智能和高性能计算日益增长的需求。

SAIMEMORY是软银集团旗下的子公司，总部位于东京。据英特尔介绍，SAIMEMORY正在开发一种堆叠式DRAM架构，其性能超越了当前的高带宽内存标准。该技术旨在显著提升存储器容量，大幅降低功耗，并改进封装技术，从而缓解人工智能系统扩展的关键瓶颈。

在此次合作中，英特尔将作为技术、创新和标准方面的合作伙伴，SAIMEMORY将贡献技术专长与创新能力，并主导ZAM的商业化进程。该项目计划于2026年第一季度启动运营，2027年推出原型产品，并于2030年实现商业化。

SAIMEMORY的技术架构基于“先进存储器技术（the Advanced Memory Technology，AMT）”研发计划，英特尔早期曾获该计划资助，为堆叠式DRAM概念提供关键的性能验证。英特尔也推动了下一代DRAM键合（Next Generation DRAM Bonding，NGDB）计划，在延迟和能耗更低的情况下，实现更高DRAM密度与带宽。

英特尔院士兼政府技术部门首席技术官Joshua Fryman表示，英特尔的下一代DRAM键合（NGDB）计划展示了一种新型内存架构与革命性的封装方式，可显著提升DRAM性能、降低功耗，并优化内存成本。标准内存架构已无法满足人工智能的需求，因此NGDB定义了一套全新的方法，让这项技术有望在未来十年获得更广泛的应用。

软银表示，SAIMEMORY的下一代存储技术研发是软银支持下一代社会基础设施建设的关键举措之一。通过运用ZAM下一代存储技术，SAIMEMORY将与英特尔携手合作，在数据中心和其他需要训练和推理大规模人工智能模型的环境中，实现高容量、高带宽的数据处理、更强大的处理性能和更低的功耗。