前言

充电头网在对以往拆解案例的整理中，发现安森德旗下多款MOSFET已导入多类快充与家电产品方案，并进入部分知名品牌的供应链体系。其器件覆盖 30V/40V等低压负载开关场景，也涵盖100V/120V等同步整流应用。本文将结合我们现已发布的拆解案例，对安森德MOS管的典型型号与应用方向进行汇总梳理，便于读者快速对照理解其参数定位与实际场景。

安森德MOS管应用案例

安森德ASDM30N40AE

安森德ASDM30N40AE-R是一颗低栅极电荷NMOS管，采用Trench工艺制造，具有导阻低，损耗小，IDM&EAS能力优越等特点；实际参数方面，该器件耐压30V，导阻5.0mΩ，采用PDFN3.3x3.3-8封装，可在负载开关、PWM应用以及电源管理等诸多场景应用。

应用案例：

1、拆解报告：沃尔玛onn. 72W 3C1A多口氮化镓充电器

2、拆解报告：摩米士65W拉拉线氮化镓充电器

安森德ASDM40N60KQ

安森德ASDM40N60KQ是一颗低栅极电荷NMOS，同样采用Trench工艺制造，耐压40V，导阻7mΩ，采用TO-252-2L封装，可在负载开关、硬开关和高频电路以及UPS等场景应用。

应用案例：

1、拆解报告：诗恩MK01无线吹风机

安森德ASS052N10Q1M

安森德ASS052N10Q1M是一颗NMOS管，耐压100V，导阻4.4mΩ，采用PDFN5*6封装。

应用案例：

1、拆解报告：来酷65W 2C1A智能数显拉拉线氮化镓充电器

安森德ASDM100R066NQ

安森德ASDM100R066NQ是一颗低栅极电荷NMOS管，采用SGT工艺制造，具有导阻低，损耗小，IDM以及EAS能力优越等特点。该器件在参数方面，耐压100V，导阻5mΩ，采用DFN5*6-8封装，可在PC、电信以及工业等多种DC-DC电路中应用。

应用案例：

1、 拆解报告：红魔80W风冷无线充电座

安森德ASDM30N65E

安森德ASDM30N65E是一颗采用采用Trench工艺制造的低栅极电荷30V耐压NMOS，导阻4.5mΩ，采用DFN3.3*3.3-8L封装，适合用于负载开关、锂电保护等诸多场景应用。

应用案例：

1、拆解报告：罗马仕35W快充移动电源PHA10P

安森德ASDM120R65N

安森德ASDM120R65N是一颗NMOS，采用SGT工艺制造，耐压120V，导阻5.3mΩ，采用DFN5*6-8L封装，适合同步整流以及高频开关等诸多场景应用。

应用案例：

1、 拆解报告：罗马仕10000mAh 67W超级快充移动电源

充电头网总结

充电头网了解到，深圳安森德半导体有限公司成立于2018年，总部位于深圳，是一家更懂应用的模拟芯片和系统级芯片设计公司，先后获得国家高新技术企业，创新型中小企业，科技型中小企业等荣誉资质。

安森德在芯片设计、制造、测试、封装等方面有着丰富的行业经验，核心技术自主可控，拥有多项自主知识产权及发明专利。技术研发团队由欧美顶尖半导体公司从业背景的资深专家、国内知名半导体公司资深专家及来自于西北工业大学、电子科技大学等国内著名高校团队组成，有着丰富的行业经验和领先的芯片设计能力。

安森德致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压 、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN；模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片；SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于工业电源、电机驱动、消费电子、新能源、光伏储能等众多领域，并与全球顶尖企业在技术与业务方面进行深入合作。