长鑫存储申请半导体结构专利，提高存储器件的存储密度_科技资讯

长鑫存储申请半导体结构专利，提高存储器件的存储密度

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2026-01-27 00:40:26

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国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121398016A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构。包括：第一基底，所述第一基底的第一表面形成有第一存储结构；第二基底，所述第二基底的第一表面形成有第一控制结构，所述第二基底的第二表面为所述第二基底的第一表面的相对面；所述第一基底键合于所述第二基底的第一表面侧，所述第一存储结构和所述第一控制结构电连接；第一引出结构，用于将所述第一控制结构引出到所述第二基底的所述第二表面。本公开的半导体结构，提高了存储器件的存储密度。

天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目408次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可61个。

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来源：市场资讯

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