荣芯半导体申请半导体器件和掩膜版专利，提高器件性能_科技资讯

荣芯半导体申请半导体器件和掩膜版专利，提高器件性能

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2026-01-16 00:40:40

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种半导体器件和掩膜版”的专利，公开号CN121335156A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，一种半导体器件和掩膜版，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有由隔离结构界定的有源区，所述有源区沿第一方向延伸；栅极结构，形成在所述半导体衬底上且横跨所述有源区，所述栅极结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；其中，所述有源区和所述栅极结构至少之一具有凸出主体边界的凸出部，所述凸出部至少部分位于所述有源区与所述栅极结构的交叠区域。该半导体器件能够提高有源区与栅极结构的有效交叠面积，有效抑制了器件的漏电流偏大的问题，提高器件性能。

天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息91条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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