近日，晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商#瀚天天成。

新设备采用独创“垂直分流进气”结构，可在同一平台兼容8/12英寸工艺，实现晶圆表面温度≤±0.5℃的高精度闭环控制、工艺气体多区独立控制、全自动上下料及一键自动PM功能。

图片来源：晶盛机电

与上一代相比，颗粒污染（LPD）下降50%，维护时间缩短30%，配套晶盛旗下浙江晶瑞SuperSiC 12英寸导电型衬底后，外延层厚度不均匀性＜3%，掺杂不均匀性＜8%，2mm×2mm芯片良率＞96%，关键指标已对标国际先进水平。

公开信息显示，晶盛机电今年在碳化硅赛道动作密集。

11月，子公司浙江晶瑞SuperSiC 12英寸导电型SiC衬底启动向英飞凌、意法等国际大厂的送样验证。

10月，公司第2000台半导体级单晶炉下线，12英寸硅/锗单晶炉首次实现向韩国、新加坡客户批量出口，带动2025年海外收入占比提升至18%。

资本市场方面，12月13日公司公告完成董事会换届，并启动2025年度定增预案，拟募资不超过60亿元，其中25亿元将投向“年产120万片12英寸SiC衬底及外延装备产业化项目”，建设周期24个月。

此外，值得注意的是，今年12月18日，晶盛机电首条氮化硅陶瓷材料产线已于正式通线。

晶盛机电此次投产的氮化硅陶瓷产线，是继碳化硅、金刚石之后，在散热材料领域的又一重要战略布局。

氮化硅陶瓷因优异的导热性、绝缘性及与芯片匹配的热膨胀系数，成为高功率电子器件散热的关键材料。

晶盛机电通过布局氮化硅陶瓷产线，完善了在散热材料领域的产业链布局，形成碳化硅、金刚石、氮化硅三大核心材料协同发展的格局，进一步巩固其在半导体材料领域的领先地位。

该产线成功突破了流延成型、精密温场控制等关键技术，实现了高性能氮化硅陶瓷基板的国产化生产。

（文/集邦化合物半导体 EMMA 整理）

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