HICOOL帮助一位位创业者完成了 从梦想到现实的蜕变。他们带着前沿技术的火种、解决行业痛点的初心，通过HICOOL来到顺义、扎根顺义，依托平台的 资源赋能与区域的产业协同，实现了从技术研发到产业化落地的跨越， 为区域发展贡献了创新力量。

中科重仪入驻HICOOL产业园。

北京中科重仪半导体科技有限公司（以下简称“中科重仪”）以“设备+材料”的联动创新模式，在氮化镓（GaN）领域实现重大突破，并斩获HICOOL 2022全球创业大赛三等奖。自2025年8月起，中科重仪正式入驻HICOOL产业园，成为顺义区打造第三代半导体产业创新高地的生力军。

作为第三代半导体的重要代表，氮化镓（GaN）技术的市场价值不仅体现在高速增长的应用需求上，更体现在能源效率革命和未来产业布局中的战略意义。凭借高频、高效、低损耗等独特优势，氮化镓（GaN）正逐步成为新型电力电子器件的核心支撑，为新型电力系统、数据中心、新能源汽车与人形机器人等注入强劲动能。

公司主营业务展示。

随着关键技术的突破与产业链的加速整合，氮化镓（GaN）的规模化应用有望重塑全球能源格局，成为实现“双碳”目标的重要引擎。中科重仪瞄准市场痛点，用自主知识产权MOCVD设备的创新设计与性能优化，实现了高性能与高成品率的硅基氮化镓（GaN）外延产品研发与制造。目前，中科重仪是国内唯一实现自主MOCVD设备和自主氮化镓（GaN）外延材料为一体的产业化公司。

公司获得的部分奖项。

中科重仪成功研制出国内首台具有完全自主知识产权，核心零部件全部国产化的MOCVD设备，实现了大尺寸氮化镓（GaN）基HEMT外延材料和器件的规模化生产，实现了技术、成本与迭代的闭环协同，提升产品性能与成本优势，加速氮化镓（GaN）产业化进程。

中科重仪的快速成长离不开HICOOL产业园的全链条孵化支持。创业初期，公司就得到了园区的“雪中送炭”，享受到北京市人才工作局提供的一系列人才服务政策，真正体验了“以赛引才、以平台育才”的北京创新发展生态。研发中心落户园区后，中科重仪积极联合区内高校和上下游企业，推动氮化镓（GaN）基础成果转化与关键工艺联合攻关，加快科研成果产业化进程， 以创新发展反哺顺义，为区域产学研深度融合注入新动能。

外延工艺优化/开发。

顺义区围绕以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体，集聚了微波射频、电力电子等领域企业30家，形成了从装备、芯片制造、封装测试到下游应用的全产业链布局，成功获评国家级“第三代半导体中小企业特色产业集群”。

“中科重仪将继续依托HICOOL产业园的创新沃土，在第三代半导体领域持续突破，为顺义区高质量发展贡献更多‘芯’力量。”北京中科重仪半导体科技有限公司联合创始人、总经理姚威振表示。

来源：北京顺义