【太平洋科技资讯】近日，AMD首席执行官苏姿丰在比利时Imec ITF World 2024大会上披露，AMD计划采用3nm环绕栅极(GAA)技术量产下一代芯片。据她透露，采用3nm GAA晶体管可提升效率及性能，封装、互连技术也有改善，这会让AMD产品更具成本效益、功耗效率也较高。

目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商。该公司已于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。这一技术进步被解读为AMD将与三星合作开发3nm GAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。

与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。这一趋势表明GAA技术将成为下一代芯片制造的主流技术。

业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。此外，三星与AMD在图形处理单元(GPU)和高带宽内存(HBM)芯片方面的长期合作表明双方在技术上有良好的互操作性。

去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的Radeon图像锐化功能引入三星Exynos应用处理器产品组合中。这一合作进一步证明了双方在技术领域的紧密联系和互惠互利的关系，有望帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势，并缩小其在代工市场与领先厂商之间的差距。