艾为电子申请射频前端电路专利，提高放大器的低噪声性能
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2024-05-30 20:01:09
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金融界2024年5月29日消息，据国家知识产权局公告，上海艾为电子技术股份有限公司申请一项名为“一种低噪声放大器、芯片和电子设备“，公开号CN202410269875.5，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本申请涉及射频前端电路技术领域，具体涉及一种低噪声放大器、芯片和电子设备。低噪声放大器包括共源输入电路、共栅电路和多个控制接口，其中，共源输入电路包括多个并联连接的共源场效应晶体管，共栅电路包括一个或多个共栅场效应晶体管；第一共栅场效应晶体管的源极分别与多个共源场效应晶体管的漏极连接；多个控制接口分别与对应的共源场效应晶体管连接，各控制接口用于接收对应的控制信号，控制信号用于调整对应的共源场效应晶体管的偏置电压。
来源：金融界
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