台积电日前宣布，今年稍晚N3P量产，是目前最先进制程；到2025年更有趣，台积电将拥有两种制程，都是下半年量产，甚至相互竞争。

台积电N3X和N2都将在2025年量产，与N3P相较，N3X节点芯片可将工作电压 (Vdd) 从1.0V降低至0.9V，相同时脉降低功耗7%，或相同芯片面积提高运算性能5%，相同时脉晶体管密度提高约10%。与前代产品相较，N3X优势在最大电压1.2V，对桌面或数据中心GPU等超高性能应用非常重要。

N2节点是台积电第一个GAA纳米片晶体管节点，显著增强运算性能、功耗和芯片面积（PPA）等。与N3E相比，N2节点芯片可相同晶体管数和时脉，功耗降低25%-30%，或相同晶体管数和功耗，时脉提高10%-15%。时脉及功耗相同时，晶体管密度提高15%。

N2节点功耗和晶体管密度是台积电无可争议的冠军，但高电压N3X性能方面可能挑战N2。对许多客户来说，N3X还受益成熟FinFET晶体管，N2节点2025下半年量产时，不会成为台积电最佳节点。

2026年台积电还有两个普遍智能手机和高性能计算节点，就是N2P和有背后供电，也就是超级电轨A16节点。与第一代N2相较，N2P相同时脉和晶体管数，可降低5%-10%功耗，相同功率和晶体管数，提高5%-10%时脉。与N2P相比，相同时脉和晶体管数，A16功耗降低20%，相同功率和晶体管数，时脉提高10%。

台积电A16制程有称为超级电轨的背面供电架构，可能成为注重性能芯片的首选。当然，背面供电需额外制程，A16节点成本会更高。

(首图来源：台积电)