5月24日周五，三星电子发布官方声明，对外否认了此前有关“HBM芯片因发热和功耗问题而没能通过英伟达的测试”一传闻。

声明称：

“我们与全球多家客户HBM芯片的测试正在顺利进行，并正在进行各种测试以严格核实HBM芯片的质量和性能。”

声明进一步解释称，公司正在与客户共同优化HBM芯片的规格，这种高端内存芯片和过去的DRAM芯片不同，需要根据客户需求进行定制。

HBM芯片（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是内存芯片制造商在AI时代争夺的新战场。在这一领域，三星电子正面临激烈竞争，其国内竞争对手SK海力士和美光科技已经抢先一步，成为英伟达GPU存储器HBM3和HBM3E的供应商。

此前受该传闻影响，三星股价在早间交易中一度暴跌逾3%，跌至75700韩元（约合55美元），现股价有所回升至76500韩元。

尽管三星电子否认了测试失败的报道，但投资者对于该公司在高端内存芯片领域的竞争力仍持谨慎态度。

去年以来，三星最新的HBM3E已经进行了多次测试，但始终未能达标。有分析指出，三星在HBM领域面临两大关键问题，一是内存芯片散热的问题，二就是英伟达为首的芯片制造商的严格标准的挑战。

本周二，三星电子任命新的半导体业务主管郑荣炫，称人事变动的目的是“在充满不确定性的全球商业环境下，增强公司的竞争实力”。