希科半导体申请 p 型碳化硅外延片相关专利，能够提高掺杂效率
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2025-05-02 09:01:27
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金融界 2025 年 5 月 1 日消息，国家知识产权局信息显示，希科半导体科技（苏州）有限公司申请一项名为“p 型碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件”的专利，公开号 CN119877088A，申请日期为 2024 年 12 月 。
专利摘要显示，本发明涉及一种 p 型碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件。p 型碳化硅外延片的制备方法包括如下步骤：将衬底置于反应室内；向反应室内通入源气和稀释气体；施加射频功率以在反应室内产生等离子体；向反应室内通入 p 型掺杂源和载气，p 型掺杂源包括三甲基铝和三乙基硼；以及在衬底一侧生长 p 型碳化硅外延层，得到 p 型碳化硅外延片。上述 p 型碳化硅外延片的制备方法，采用三甲基铝和三乙基硼共同作为 p 型掺杂源，并通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术来生长 p 型碳化硅外延片，能够提高掺杂效率。
天眼查资料显示，希科半导体科技（苏州）有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2904.8888万人民币。通过天眼查大数据分析，希科半导体科技（苏州）有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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