三星任命资深高管应对人工智能芯片落后危机
创始人
2024-05-24 00:19:00
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鞭牛士报道,5月22日消息,据外电报道,在人工智能芯片市场蓬勃发展的背景下,全球最大的存储芯片制造商三星电子已经落后于同行,因此更换了半导体部门的负责人,以克服芯片危机。

这家韩国制造商周二表示,已任命杨铉俊 (Young Hyun Jun) 为公司未来业务规划部门负责人,任命立即生效。

分析师表示,此举可能旨在赶上人工智能使用的高端芯片市场,例如高带宽内存 (HBM) 芯片,三星在这一领域落后于 SK 海力士(000660.KS)等竞争对手。

三星在一份声明中表示:这是通过重塑内部和外部氛围来增强未来竞争力的先发制人举措。

根据数据提供商 TrendForce 的数据,去年第四季度,三星在科技设备中使用的 DRAM 芯片市场份额达到 45.5%。然而,它在小众但日益重要的 HBM 芯片领域落后,SK 海力士控制着 90% 以上的主流 HBM3 市场。

HBM3 是第四代 HBM 标准,目前最常用于 AI 芯片组,例如行业领导者 Nvidia (NVDA.O)制造的芯片组。

Jun,63 岁,在致力于 DRAM 和闪存芯片的开发后,于 2014 年至 2017 年领导三星的存储芯片业务。他还是电池部门三星SDI (006400.KS)的首席执行官,2017 年至 2022 年,监管与汽车制造商 Stellantis (STLAM.MI)的美国电动汽车电池合资企业。

三星表示:我们希望他能够凭借自己积累的管理知识克服芯片危机。

自 2022 年以来一直领导半导体部门的 Kye Hyun Kyung 将接替 Jun 的职位,担任其未来业务规划部门负责人。

分析师表示,鉴于三星大多数人事变动通常发生在年初,因此在年中更换如此高级的职位并不常见。

芯片部门表现落后

分析师表示,三星对人工智能芯片组所用内存芯片快速增长的需求反应迟缓,专用产品的价格明显较高,尽管按出货量计算,其在 DRAM 市场的份额较小。

BNK Investment & Securities分析师Lee Min-hee表示:芯片部门在各方面的竞争力一直落后,在高密度DRAM、NAND产品方面不再领先于竞争对手。

「它也错过了很多全球人工智能的上升趋势。」李补充道。

在三星 3 月份的年会上,前芯片部门负责人 Kyung 坚称,该制造商未来可以避免在 HBM 市场犯下类似的错误。

在回答股东关于三星近期在该领域遭遇的挫折的问题时,Kyung 表示:我们已经做好了更好的准备,以防止将来再次发生这种情况。

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