近期，一张标注为“EUV物镜装调干涉仪”的设备图片在网络上悄然传播。该仪器被指用于采用干涉法对EUV光刻机的物镜进行精密装配，其核心原理基于可见光的双缝干涉实验。在EUV光刻机的研发进程中，物镜的精密装配是极为关键的环节，若这一问题得以解决，同时光源和双工台技术也已攻克，那么EUV光刻机的核心技术便基本实现全面突破，后续只需完成系统集成工作，即可检验整体成果。

在这台干涉仪中，精确校准物镜内各反射镜的位置，使总体波像差达到最小化，是实现高分辨率光刻的关键。只有达成这一目标，才能在芯片制造过程中刻蚀出极小的图案，这无疑是国产EUV光刻机研发道路上的重大进展。

据相关消息透露，国产EUV光刻机预计4月份率先在存储芯片领域进行调试应用。若调试进展顺利，计划于8、9月份进入大规模量产阶段。在核心部件方面，物镜据悉由科美提供，光源则由长光负责。尽管长光的光源成本较高，但稳定性良好。而哈工提供的技术方案目前仅作为备选，主要用于解决5纳米芯片的成品率问题。从当前的发展态势来看，若能在2035年前实现小规模商用，便已超出预期。

从全球EUV光刻机市场格局来看，ASML作为行业龙头，在高端芯片制造设备领域占据主导地位。然而，如果ASML持续追随美国相关政策，而我国东大主导的EUV光刻机研制取得成功，这对于荷兰的半导体产业而言，可能会带来巨大冲击。以我国东大的工业制造能力，一旦实现EUV光刻机的量产，有望大幅降低其成本，使其价格更具市场竞争力，并在国内大规模推广应用。届时，高端芯片制造将不再是我国半导体产业发展的主要瓶颈，我国在全球半导体产业链中的地位也将得到显著提升。