据闪德资讯获悉,三星电子近日与YMTC签署了3D NAND混合键合专利许可协议。
由于工艺流程,难以避免专利,引进YMTC的专利成为必然。
这意味着,未来存储芯片的领导地位竞争会更加激烈。
三星电子确认,从中国NAND制造商YMTC引入混合键合专利,将应用在V10 NAND产品。
YMTC是业内第一家将混合键合应用于3D NAND的公司。
相关技术已建立起稳固的专利壁垒。
三星电子采取的是,通过协议消除未来风险而非强行规避专利的策略。
下一代NAND开发的核心问题已经解决,但良率稳定性、通过专利引入恢复竞争力等未来挑战正在出现。
三星V10预计下半年量产,层次在420-430之间。
V10 NAND引进了多项新技术,其中W2W(晶圆到晶圆)混合键合至关重要。
W2W混合键合是一种将晶圆与晶圆直接键合的封装技术。
混合键合省略了传统芯片连接所需的凸块,缩短了电气路径并提高了性能和散热特性。
特别是W2W,键合的是整个晶圆而不是芯片,在提高生产率具有优势。